国家/地区 中国（187） 美国（60） 韩国（48） 世界知识产权组织（30） 日本（22） 欧洲专利局（EPO）（16） 台湾（10） 澳大利亚（4） 巴西（3） 加拿大（3） 德国（3） 新加坡（3） 墨西哥（2） 波兰（2）
IPC部 C（268） H（71） B（62）
F（18） G（11） A（8）
E（7） D（3）
IPC大类 C23（268） C01（78） H01（66）
B82（18） C30（18） C22（14）
C25（14） B22（11） B32（11）
B01（10） H05（9） B05（8）
C03（8） C08（8） C09（8）
IPC小类 C23C（268）
IPC C23C016/26（140） C01B031/04（44） C23C016/02（28）
C23C016/44（27） C23C004/134（23） C01B032/186（20）
H01L021/02（20） C23C004/06（17） C23C014/06（17）
C23C014/18（17） C23C016/455（17） C01B032/182（16）
C23C016/01（16） C23C028/00（15） B82Y030/00（14）
发明人 ZHANG D（26） ZHANG Y（14） LI Z（13）
LIU X（10） CHEN Z（9） LEE Y T（9）
ZHANG X（9） JIANG H（7） SHI H（7）
WANG J（7） ZHANG J（7） CHEN X（6）
GAO X（6） WANG X（6） WANG Y（6）
公开年 2017（137） 2016（101） 2018（28） 2019（2）
申请年 2016（268）
专利权人 WUXI MINGSHE.（21） LEE Y T（9） SHANGHAI INS.（7） CHINESE ACAD.（5）
NAMIKI SEIMI.（5） ANHUI KELISI.（4） KOREA INST S.（4） WUHU SANGLEJ.（4）
ZHENJIANG BR.（4） CORNING INC（3） LOCKHEED MAR.（3） QINGDAO SAIR.（3）
SAMSUNG ELEC.（3） UNIV CENT SO.（3） UNIV INJE IN.（3） UNIV JINAN（3）
UNIV PEKING（3） UNIV SHANGHA.（3） UNIV XIDIAN（3） WUXI GRAPHEN.（3）

Fabricating graphene nanoribbon array for graphene nanotransistor grid manufacture by selectively seeding growth of graphene flakes on substrate, masking flake edges with insulator, etching, removing insulator, and etching electrode.

LERNER M B

Producing carbon structures containing graphene on surface of spatially shaped metal elements made of copper or its alloys, in chemically active gas working atmosphere containing inert shielding gas, by soaking materials in sealed retort.

BABUL T, OBUCHOWICZ Z, JONCZYK S, BARANOWSKI M, KONDEJ A

Carbon nanotube-graphene hybrid electrode material used in hydrophilic treatment, ultraviolet-ozone processing or oxygen plasma processing, comprises carbon nanotube-graphene hybrid electrode are equipped with graphene electrode.

LEE J O, JEONG D W

Producing graphene fiber composite useful in electronic device and electric wire, comprises e.g. performing chemical vapor deposition process to synthesize graphene layer on metal catalyst, and etching metal catalyst from graphene layer.

BAE S, KIM S J, RHO H K, LEE S K, KIM T W, LEE D S, LEE S H

Synthesis of graphene used in e.g. electronic applications, involves reacting drawn catalytic substrate with precursor gas containing hydrocarbon gas and hydrogen gas to form continuous single crystal graphene.

LIST F A, STEHLE Y Y, VLASSIOUK I V, SMIRNOV S N

Preparation of graphene involves forming metal catalyst film on surface of amorphous carbon film, vacuumizing, placing sample of silicon/amorphous carbon/metal catalyst, heat-preserving and air-cooling.

WANG A, LIU P, ZHANG D, GUO T, LI H, KE P

Large area graphene growth apparatus has second heater that is installed at lower portion of chamber, and second heater driving unit is configured to adjust position of second heater with respect to chamber.

GI C K, CHEOL K G

Preparation of graphene-damping composite material by chemical vapor depositing or chemical coating graphene on surface of foam metal skeleton, and injecting polymer using vacuum assisted resin transfer molding or resin dipping method.

ZENG Y, WANG H, YING Z, MA C, CHENG H

Composite conductor comprising graphene coating layer used in wire, has graphene coating layer that is coated on surface of conductor, such that graphene layers contained in graphene coating layer have hexagonal lattice form of carbon atoms.

SHIN S H, KIM S

Preparation of graphene carbon nanotubes composite film for hybrid Schottky diode, involves using substrate whose entire or one surface is graphene catalyst, performing electroplating and carrying out chemical vapor deposition.

YANG L, CHEN Z, XU X, ZHANG J, YIN L, WU H, LIAO W, LI Q, BECK T J